ddr과 sdr의 차이점

현재 가장 널리 사용되는 메모리 모듈은 주로 SDR, DDR, RAMBUS의 세 가지 유형입니다. 그 중 RAMBUS 메모리는 임피던스가 제어된 직렬 연결 기술을 사용합니다. 여기서는 더 이상 논의하지 않겠습니다. 이 기사에 요약된 메모리 설계 기술은 SDRAM(SDR 및 DDR 포함)을 위한 것입니다. 이제 SDR과 DDR을 간단히 비교해 보겠습니다. 둘 다 동기 동적 메모리라고 하며 핵심 기술은 동일합니다. 일부 기능에서 DDR이 개선되었기 때문에 DDR을 SDRAM II라고도 합니다. DDR의 전체 이름은 데이터 전송 속도의 두 배인 Double Data Rate이지만 클록 주파수는 증가하지 않았지만 클록의 상승 및 하강 에지를 사용하여 데이터를 읽고 쓸 수 있습니다. SDR의 경우 시장에 나와 있는 일반적인 모듈은 주로 PC100/PC133/PC166이며 해당 DDR 메모리는 DDR200(PC1600)/DDR266(PC2100)/DDR333(PC2700)입니다.

DDR과 SDR의 몇 가지 구체적인 차이점:
전압과 인터페이스 회로가 다릅니다. SDR은 일반적으로 3.3V LVTTL 또는 SSTL_3 인터페이스를 사용하는 반면 DDR은 2.5V SSTL_2 저전압 디지털 인터페이스를 사용하고 DDRII는 1.8V SSTL_18 인터페이스를 사용합니다.
ZA DLL(Delay Locked Loops)은 DDR 칩 내부에 추가되며 데이터 게이트 DQS(data strobe)를 통해 데이터가 정확하게 위치합니다.
Z DDR은 클록의 상승 및 하강 에지를 사용하여 데이터를 읽고 쓸 수 있으며 그 본질은 DQS 신호의 상승 및 하강 에지를 사용하여 데이터를 송수신하는 것입니다.
Z DDR은 SDR보다 입력 임피던스가 낮습니다.
Z DDR에는 기준 전압 VREF가 있으며 디지털 신호의 상태는 신호 전압과 기준 전압의 차이에 의해 결정됩니다.
DDR의 DM은 쓰기 작업 중에만 유효하지만 SDR의 DQM 신호는 읽기 작업과 쓰기 작업 중에 유효합니다.
Z DDR은 신호 품질과 타이밍을 더 잘 보장할 수 있는 차동 클록 신호 전송을 사용합니다.
인터페이스는 마더보드와 다릅니다. 예를 들어 DIMM의 경우 SDR에는 168핀이 있고 DDR에는 184핀이 있습니다. SODIMM과 UDIMM도 다릅니다.

SDR과 DDR 사이의 특정 특성의 차이로 인해 이러한 두 가지 유형의 메모리 모듈을 설계할 때 서로 다른 요소를 고려합니다. 다음 섹션에서는 이러한 두 가지 메모리 모듈 유형의 설계 세부 사항에 대해 자세히 설명합니다. 현재 시장은 여전히 SDRAM과 DDR이 지배하고 있지만 주요 메모리 모듈 회사는 DDRII에 대한 연구를 시작했으며 JEDEC도 특별 작업 그룹을 구성하여 새로운 규칙을 공식화하기 시작했습니다. 내년(2003년)에는 DDRII가 시장에 등장하고 2004년에는 DDRII가 점진적으로 메모리 시장의 지배자가 되기 시작할 것이라고 과감하게 예측할 수 있습니다. DDRII의 기본 지식과 설계를 위해
계산 이론은 관련 문서에서 찾을 수 있습니다.