DDR2(Double Data Rate 2) SDRAM은 JEDEC(Joint Electronic Equipment Engineering Committee)에서 개발한 차세대 메모리 기술 표준입니다. 이전 세대 DDR 메모리 기술 표준과 가장 큰 차이점은 상승 클럭/하강 지연 동안 데이터 전송의 기본 방식을 동일하게 사용하지만 DDR2 메모리는 이전 세대 DDR 메모리( 즉: 4비트 데이터 읽기 프리페치). 즉, DDR2 메모리는 클럭당 외부 버스의 4배 속도로 데이터를 읽고 쓸 수 있으며 내부 제어 버스의 4배 속도로 실행할 수 있습니다.
1. 기본 원칙:
DDR에 비해 DDR2의 주요 개선 사항은 메모리 모듈의 속도가 같을 때 DDR 메모리의 두 배의 대역폭을 제공할 수 있다는 것입니다. 이는 주로 각 장치에 2개의 DRAM 코어를 효율적으로 사용하여 달성됩니다. 대조적으로 DDR 메모리는 각 장치에서 하나의 DRAM 코어만 사용할 수 있습니다. 기술적으로 말하면 DDR4 메모리에는 여전히 하나의 DRAM 코어만 있지만 병렬로 액세스할 수 있어 각 액세스에서 XNUMX개가 아닌 XNUMX개의 데이터를 처리합니다.
2배 속도로 실행되는 데이터 버퍼와 결합된 DDR4 메모리는 각 클록 주기에서 최대 2비트의 데이터를 처리할 수 있으며 이는 기존 DDR 메모리에서 처리할 수 있는 2비트 데이터의 두 배입니다. DDRXNUMX 메모리의 또 다른 개선 사항은 기존 TSOP 방식 대신 FBGA 패키징을 사용한다는 것입니다.
그러나 DDR2 메모리는 DDR과 동일한 DRAM 코어 속도를 사용하지만 DDR2의 물리적 사양이 DDR과 호환되지 않기 때문에 DDR2 메모리에 맞추기 위해서는 여전히 새로운 마더보드를 사용해야 합니다. 첫째, 인터페이스가 다릅니다. DDR2에는 240개의 핀이 있고 DDR 메모리에는 184개의 핀이 있습니다. 둘째, DDR2 메모리의 VDIMM 전압은 1.8V로 DDR 메모리의 2.5V와도 다릅니다.
또한 DDR2 표준에서는 현재 널리 사용되는 TSOP/TSOP-II 패키지와 달리 모든 DDR2 메모리를 FBGA로 패키징하도록 규정하고 있기 때문에 FBGA 패키지는 안정적인 DDR2 메모리인 더 나은 전기적 성능과 방열을 제공할 수 있습니다. 작업과 미래 주파수의 개발은 견고한 기반을 제공합니다. DDR의 발전을 떠올리면, DDR200, DDR266을 거쳐 오늘날의 듀얼채널 DDR333 기술을 거쳐 개인용 컴퓨터에 적용된 400세대 DDR2부터 오늘날의 듀얼채널 DDRXNUMX 기술에 이르기까지 DDR XNUMX세대의 발전은 기술의 한계에 도달했고 개선이 어려웠다. 기존의 방법을 통해 메모리. 인텔의 최신 프로세서 기술의 발전으로 전면 버스는 더 높고 더 높은 메모리 대역폭을 필요로 하며 더 높고 안정적인 작동 주파수를 가진 DDRXNUMX 메모리가 일반적인 추세가 될 것입니다.
DDR2 메모리의 많은 새로운 기술을 이해하기 전에 먼저 DDR과 DDR2 기술을 비교하는 데이터 세트를 살펴보겠습니다.
1) 지연 문제:
위의 표에서 알 수 있듯이 동일한 코어 주파수에서 DDR2의 실제 동작 주파수는 DDR의 2배입니다. 이는 DDR4 메모리가 표준 DDR 메모리의 2BIT 사전 읽기 기능의 두 배이기 때문입니다. 즉, DDR2는 DDR과 마찬가지로 클럭 상승 지연 및 하강 지연과 동시에 데이터 전송의 기본 방식을 사용하지만 DDR100는 시스템 명령 데이터를 미리 읽을 수 있는 DDR의 200배 기능을 가지고 있습니다. 즉, 동일한 동작 주파수 2MHz에서 DDR의 실제 주파수는 400MHz이고 DDRXNUMX는 XNUMXMHz에 달할 수 있습니다.
이런 식으로 또 다른 문제가 발생합니다. 작동 주파수가 동일한 DDR 및 DDR2 메모리에서 후자의 메모리 대기 시간이 전자보다 느립니다. 예를 들어, DDR 200과 DDR2-400은 동일한 지연을 갖고 후자는 대역폭이 두 배입니다. 실제로 DDR2-400과 DDR 400은 대역폭이 같고 둘 다 3.2GB / s이지만 DDR400의 코어 작동 주파수는 200MHz이고 DDR2-400의 코어 작동 주파수는 100MHz로 DDR2의 지연을 의미합니다. -400 DDR400보다 높습니다.
2) 캡슐화 및 발열:
DDR2 메모리 기술의 가장 큰 돌파구는 실제로 사용자가 DDR의 전송 용량을 두 배로 생각한다는 것이 아니라 더 낮은 발열과 낮은 전력 소비로 DDR2가 더 빠른 주파수 증가와 돌파구를 달성 할 수 있다는 것입니다. 표준 DDR의 400MHZ 제한.
DDR 메모리는 일반적으로 TSOP 칩에 패키징됩니다. 이 패키지는 200MHz에서 잘 작동합니다. 주파수가 더 높으면 긴 핀이 높은 임피던스와 기생 커패시턴스를 생성하여 성능에 영향을 미칩니다. 안정성 및 빈도 증가의 어려움. DDR의 코어 주파수가 275MHz를 돌파하기 어려운 이유다. 그리고 DDR2 메모리는 FBGA 패키지 형태를 채택했습니다. 현재 널리 사용되는 TSOP 패키지와 달리 FBGA 패키지는 더 나은 전기적 성능과 방열을 제공하여 DDR2 메모리의 안정적인 작동과 미래 주파수 개발을 보장합니다.
DDR2 메모리는 DDR 표준 1.8V보다 훨씬 낮은 2.5V 전압을 사용하므로 훨씬 적은 전력 소비와 적은 열을 제공합니다. 이 변화는 중요합니다.
2. DDR2가 채택한 새로운 기술:
위에서 언급 한 차이점 외에도 DDR2에는 OCD, ODT 및 Post CAS라는 세 가지 새로운 기술이 도입되었습니다.
OCD (Off-Chip Driver): 이것은 소위 오프라인 드라이브 조정입니다. DDR II는 OCD를 통해 신호 무결성을 향상시킬 수 있습니다. DDR II는 풀업/풀다운 저항 값을 조정하여 두 전압을 동일하게 만듭니다. OCD를 사용하여 DQ-DQS의 기울기를 줄여 신호 무결성을 개선합니다. 전압을 제어하여 신호 품질을 향상시킵니다.
ODT: ODT는 내장 코어의 종단 저항입니다. DDR SDRAM을 사용하는 마더보드에는 신호가 데이터 라인 단자에서 반사되는 것을 방지하기 위해 많은 수의 종단 저항이 필요하다는 것을 알고 있습니다. 마더보드의 제조 비용을 크게 증가시킵니다. 사실, 메모리 모듈마다 종단 회로에 대한 요구 사항이 다릅니다. 종단 저항의 크기는 데이터 라인의 신호 비율과 반사율을 결정합니다. 종단 저항이 작으면 데이터 라인 신호 반사는 낮지만 신호 대 잡음비도 낮습니다. 종단 저항이 높으면 데이터 라인의 신호 대 잡음비가 높지만 신호 반사도 증가합니다. 따라서 마더보드의 종단 저항은 메모리 모듈과 잘 일치하지 않으며 어느 정도 신호 품질에 영향을 미칩니다. DDR2는 최상의 신호 파형을 보장하기 위해 자체 특성에 따라 적절한 종단 저항을 구축할 수 있습니다. DDR2를 사용하면 마더보드 비용을 절감할 수 있을 뿐만 아니라 DDR과 비교할 수 없는 최상의 신호 품질을 얻을 수 있습니다.
CAS 포스트: DDR II 메모리의 활용 효율을 높이기 위해 설정합니다. Post CAS 동작에서 CAS 신호(읽기/쓰기/명령)는 RAS 신호 이후 한 클록 주기에 삽입될 수 있으며 CAS 명령은 추가 지연(Additive Latency) 후에도 유효하게 유지될 수 있습니다. 원래의 tRCD(RAS to CAS 및 지연)는 0, 1, 2, 3, 4로 설정할 수 있는 AL(Additive Latency)로 대체되었습니다. CAS 신호는 RAS 신호 이후에 한 클럭 주기에 배치되기 때문에 ACT CAS 신호는 절대 충돌하지 않습니다.
일반적으로 DDR2는 많은 새로운 기술을 사용하여 DDR의 많은 단점을 개선합니다. 현재는 높은 비용과 느린 지연이라는 단점이 많지만 지속적인 기술 개선과 개선으로 이러한 문제는 결국 해결 될 것으로 믿어진다. .
우리의 다른 제품 :
