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    SDR과 DDR의 발전과 차이점

     

    SDRAM은 상대적으로 장기적인 것이지만, 우리가 그것에 대해 이야기할 때 DDR과 혼동되지는 않을 것입니다. 우리가 일반적으로 이해하는 SDRAM은 실제로 SDRAM의 1세대인 SDR SDRAM이고 DDR4은 지금도 XNUMX세대입니다. 사용된 DDRXNUMX는 실제로 XNUMX세대 SDRAM이며 여기서 명확히 해야 합니다. 차이점을 보여주기 위해 SDR은 SDR SDRAM을 참조하기 위해 후속 기사에서 사용되고 DDR은 DDR SDRAM을 참조하기 위해 사용됩니다.

     

    많은 분들이 답변해 주신 것처럼, 이들의 본질적인 차이점은 주기적인 동작(클럭 샘플링이라고도 함)의 차이이며, 이는 후속 설계에서 큰 차이를 낳습니다. SDR은 "단일 데이터 전송 모드"입니다. 이 메모리의 특징은 메모리 클록 주기에서 파형의 상승 에지에서 작업(읽기 또는 쓰기)을 수행하는 반면 DDR은 일부 새로운 설계 및 기술을 나타냅니다. 메모리 클럭 사이클에서 파형의 상승 에지에서 연산이 수행되고 구형파의 하강 에지에서도 연산이 수행됩니다. 이는 한 클록 사이클에 해당하는 DDR은 다음과 같은 작업을 완료할 수 있습니다. SDR의 두 주기로 완료됩니다. 따라서 이론상 동일한 속도의 DDR 메모리의 성능은 SDR 메모리의 100배 이상이며, 간단히 200MHZ DDR=XNUMXMHZ SDR로 이해할 수 있습니다.

     

    디자인에서 SDR의 길이를 고려하는 방법에 관해서는 이것이 모두에게 가장 흥미로운 문제가 될 수 있다고 생각합니다. SDR의 적용은 많지 않지만 여전히 사람들은 종종 우리에게 묻습니다. 다음은 더 나은 것입니다. 기사에 대한 답변은 모든 사람을 위한 참고 자료이기도 합니다.

     

    Ergaozi의 네티즌은 "모두 동기식 동적 랜덤 액세스 메모리라고 하지만 기술면에서 매우 다릅니다. Sdram은 XNUMX세대 램에 속하고 ddr-sdram은 XNUMX세대 램에 속합니다. 이중 데이터 속도를 사용하고 사전 액세스 기술. , 전송 속도는 XNUMX세대보다 XNUMX배 이상 높습니다. 레이아웃에서 sdram은 고성능 요구 사항을 제외하고는 길이가 같을 필요조차 없습니다."

     

    Shanshui Jiangnan의 한 네티즌은 "Sdram은 공통 클록과 동기화된다. 데이터와 클록 신호는 길이가 같을 필요는 없지만 가장 긴 요구 사항이 있으므로 배선은 가능한 한 짧아야 한다"고 말했다.

     

    비슷한 생각을 가진 네티즌들도 있다. 우리는 이 진술에 동의합니다. 일반적으로 SDR 주파수가 100MHz 미만이면 동일한 길이 범위가 더 커질 수 있습니다. 상대적으로 고의적으로 제어할 필요가 없으며 주파수가 100MHz 이상을 초과하는 경우 PCB 설계에 특별한 주의를 기울여야 합니다. 아이소메트릭 길이는 정확한 타이밍 시뮬레이션을 통해 계산할 수 있습니다. 우리의 경험 법칙은 가능한 한 모든 신호의 길이를 제어하는 ​​것입니다. 제어 가능한 조건에서 길이가 3인치를 넘지 않는 것이 가장 좋습니다. . 이것은 Mr. Gao의 Timing Design에 대한 이전 기사에서 언급되었으므로 여기서는 설명하지 않겠습니다.

     

    자, 이제 공식적으로 DDR 시대로 돌아갑니다.

     

    메모리의 전송 속도를 빠르게 높일 수 있습니다. 칩 제조 공정의 고도화와 더불어 핵심 기술은 이중 데이터 전송률과 사전 접근이다. 실제로 메모리의 코어 주파수는 100MHz에서 200MHz 사이로 기본적으로 동일합니다. 일반적으로 200MHz의 메모리 코어 주파수는 현재 기술의 한계라고 믿어집니다(오버클럭 제외). DDR 기술은 데이터 전송 속도를 두 배로 높입니다. 그림 2에서 볼 수 있듯이 DDR은 클록 신호의 위쪽 및 아래쪽 가장자리 모두에서 데이터를 샘플링합니다. 이와 같이 동일한 클럭이 200MHz라면 DDR은 400Mb/s의 데이터 전송 속도에 도달할 수 있다.

     

    사전 액세스 기술은 칩 내부의 데이터 전송 속도를 효과적으로 향상시킵니다. 프리페치는 DDR 메모리 어레이의 비트 폭을 증가시킵니다. 그림 3과 같이 DDR2와 DDR3의 사전 접근 과정이다. 사전 접근이 4비트에서 8비트로 증가했기 때문에 동일한 버스 주파수와 데이터 전송률에서 DDR3의 코어 주파수는 DDR2의 절반인 것을 알 수 있습니다. 코어 주파수를 낮추면 전력 소비를 줄이고 발열을 줄이며 메모리 안정성을 향상시킬 수 있습니다. 그리고 동일한 메모리 코어 주파수에서 DDR3의 버스 주파수와 데이터 속도는 DDR2의 XNUMX배입니다.

     

     

     

     

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