Etapa 데 살리다 RF 드 360w

Con tan sólo dos Transistores trabajando en paralelo se logra esta etapa de salida que proofe una potencia total de 360 ​​vatios con tan sólo 40 en su entrada.

Philips Semiconductors BLX15, 기능 및 구성 파라렐로의 RF 성능 강화를 위한 전력 투자 계획. Las únicas tres resistanceencias del sistema deben ser de 10 watts y de carbón, ambos transistors deben estar debidamente disipados a fin de no sobrecalentarse.

Todas las bobinas marcadas como BI sin del tipo impresas, las cuales están dibujadas en la plaqueta por medio de pistas de cobre. RFC (uno en cada base) son choques de RF convencionales. CH es una bobina de 2 vueltas de alambre 1.5mm sobre ferrite para choques. Las bobinas L (una en cada colector) están formadas 의해 3 vueltas de alambre 1.5mm sobre aire de 9mm.

엘 ajuste 데 ESTA etapa SE 실현을 드 이스 끼에 라다 derecha, desde 라 라모 알고 지 라 살리다, 사기꾼 carga fantasma 데 SER 가망.

Aquí está en escala real el diseño del circuito impreso el cual debe ser de doble cara (la otra debe ser completamente cobre) y en material 에폭시.

colocan siguiendo la siguiente guía의 Los 구성 요소 :

Una vez armado y calibrado el módulo puede ser colocado dentro de un gabinete (preferentemente metálico). Es muy recomendable montar la fuente de alimentación en el interior del mismo gabinete a fin de minimumar la absorción de ruidos.

Dada la potencia (en nuestro caso) decidimos dotar a la unidad de potencia de ventiladores eléctricos. 50 볼트 및 7 암페어 (casi nada)로 회로를 설정합니다.

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